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研究設備


微波反射計(MPX)

在磁化電漿中,當入射波頻率小於截止頻率時,電磁波將會反射,而截止頻率根據電磁波的入射模態又有所不同,以Ordinary mode來說,O-mode 入射方向與外加磁場方向垂直,而電磁波電場與外加磁場平行,當入射頻率等於電漿頻率的時候,折射係數會等於零,此頻率為截止頻率(Cutoff frequency) ,電磁波會停止前進而反射,我們可以藉由觀察電磁波因為反射所改變的相位以及調整入射波頻率,來推算電磁波行走的距離,藉以得到電漿的局部密度(Local density),而相對於干涉計的線平均密度( Line density)


網路分析儀(Net Work Analyzer)

功能:可測試各種微波元件的傳導、反射、相位變化、功率放大等等…之特性,操作頻率可從50MHz至高達50GHz



微波功率計&功率感測

Agilent E4417A雙頻道EPM-P系列功率錶搭配E9327A峰值與平均功率感應器,可執行峰值、平均、峰值-平均功率比和時閘量測。



微波干涉計(Microwave Interferometer System)

利用電磁波通過介電質時,其相位會改變的特性而設計的微波診測儀器,為非接觸性的測量方式,可避免儀器與高溫電漿接觸而產生毀壞。下列圖1為干涉計的簡易圖。當電磁波通過電漿時,其相位會因電漿之產生而改變,與無通過電漿之路徑會存在一個相位差。藉由此相位差,我們可以換算成電漿的一個重要參數:電漿密度。圖2為實驗室之干涉計。

1 干涉計的簡易圖

2 置放於實驗室中的干涉計